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催迷购买平台《下单网·址mmgg520.com》该 DRAM 结构采用 CoP 架构，即将存储单元垂直堆叠在外围电路之上。以往在该结构中，由于在存储单元堆叠工艺过程中会产生约 550 ℃ 的高温，位于下层的外围晶体管容易受损，导致性能下降。《下单网·址mmgg520.com》催迷购买平台《下单网·址mmgg520.com》